Samsung şi IBM anunţă un important pas înainte în dezvoltarea cipurilor, care va duce fie la creşterea masivă a autonomiei, fie a performanţei, în funcţie de modul în care va fi implementat designul de la caz la caz.
Cele două companii vor adopta designul VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors), care va lua locul modului în care cipurile sunt dezvoltate în prezent.
Pe scurt, pentru a face loc mai multor cipuri, acestea vor fi puse vertical, unele peste altele, în loc să fie montate orizontal, unele lângă altele. Prin urmare, circulaţia curentului va fi şi ea verticală.
Samsung şi IBM spun că viitoarele cipuri construite pe acest design vor avea fie o performanţă dublă, fie un consum de energie mai mic cu 85%.
Cele două companii oferă şi exemple concrete, cazuri în care noul design va aduce beneficii majore. Acestea spun că smartphone-urile pot ajunge la o autonomie mai mare de o săptămână, că minarea criptomonedelor nu va mai consuma la fel de multă energie ca în prezent şi că toate domeniile în care se folosesc cipuri, de la IoT la nave spaţiale, vor avea numai de câştigat.
Alături de Samsung şi IBM, Intel lucrează la un design similar, pe care vrea să-l adopte cândva după 2025.
Articolul de mai sus este destinat exclusiv informării dumneavoastră personale. Dacă reprezentaţi o instituţie media sau o companie şi doriţi un acord pentru republicarea articolelor noastre, va rugăm să ne trimiteţi un mail pe adresa abonamente@news.ro.
